记者2月19日从我国科大得悉，近来，我国科大国家示范性微电子学院程林教授课题组在全集成阻隔电源芯片规划范畴获得重要效果。研讨者提出了一种依据玻璃扇出型晶圆级封装（FOWLP）的全集成阻隔电源芯片。所提出的架构经过在单个玻璃衬底上使用三层再布线层（RDL）完结了高性能微型变压器的绕制，并完结与发射和接纳芯片的互联，有效地提高了芯片转化功率和功率密度，为往后阻隔电源芯片的规划供给一个新的解决方案。
据了解，阻隔电源芯片关于在恶劣的工业环境中确保体系的安全和可靠性起到至关重要的效果。在一些尺度和本钱受限的使用中，怎么高效地在彼此阻隔的两个地之间传输数百毫瓦的功率是当时面对的一个首要应战，近年来得到了学术界和工业界的高度重视。
与传统阻隔电源芯片比较，该研讨依据使用先进的玻璃扇出型晶圆级封装技能，将接纳和发射芯片经过封装上可再布线层制成的微型变压器进行互联封装，不需求额定的变压器芯片，克服了现有芯片规划中需求三颗乃至四颗芯片的缺陷然后大幅度的提升了阻隔电源的转化功率和功率密度。此外，该研讨中还提出了一种采用了可变电容的功率管栅极电压操控技能，完结了在更宽的电源电压规模下，操控栅极峰值电压使其保持在最佳的安全电压规模，而无需采取了特别厚栅氧工艺的功率管，完结更高的功率和削减相关本钱。终究测验依据成果得出该阻隔电源芯片完结了46.5%的峰值转化功率和最大1.25W的输出功率，而且终究的封装尺度仅有5mm×5mm，在目前所报导的无磁芯阻隔电源芯片中功率和功率密度均为最高。
论文榜首作者为我国科大微电子学院博士后潘东方，程林教授为通讯作者，这是我国科大初次以榜首作者单位在ISSCC上宣布论文。ISSCC创建于1953年，是国际上最顶级芯片技能宣布之地，每年大约有200篇论文当选。因为ISSCC在学术和产业界遭到极大重视，也被称为集成电路规划范畴的“奥林匹克大会”。本项研讨得到了国家自然科学基金委、科技部和中科院等的赞助。（记者 汪乔）
